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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
49
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
37
读取速度,GB/s
10.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
9.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2758
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
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