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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
52
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
29
读取速度,GB/s
9.8
17.0
写入速度,GB/s
8.0
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3781
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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Super Talent F24SB8GH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
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