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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
52
左右 -174% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
19
读取速度,GB/s
9.8
20.8
写入速度,GB/s
8.0
17.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3821
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
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