RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

总分
star star star star star
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

总分
star star star star star
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
报告一个错误
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB 需要考虑的原因
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 52
    左右 -63% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.6 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.6 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 18.6
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 14.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2179 left arrow 3217

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
内存RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
内存RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
内存RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
内存RAM
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
内存RAM