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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB

总分
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB 需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    18 left arrow 44
    左右 -144% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    20.8 left arrow 11.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.1 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 18
  • 读取速度，GB/s
    11.2 left arrow 20.8
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 15.1
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2293 left arrow 3402

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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
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内存RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
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内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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内存RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
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Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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