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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
总分
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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需要考虑的原因
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 -63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
27
读取速度,GB/s
11.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2293
3296
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM的比较
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Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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