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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
比较
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs INTENSO M418039 8GB
总分
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
总分
INTENSO M418039 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO M418039 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
49
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO M418039 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
20
读取速度,GB/s
10.1
16.0
写入速度,GB/s
7.8
7.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
2414
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
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Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
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