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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

总分
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

总分
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 45
    左右 27% 更低的延时
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.7 left arrow 7.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    33 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    8.0 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 11.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1911 left arrow 3233

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较

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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB RAM的比较

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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内存RAM
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
内存RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
内存RAM
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
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Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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内存RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Kingston KYXC0V-MID 16GB
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内存RAM
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
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