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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
9.2
16.1
写入速度,GB/s
8.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2702
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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