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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
9.2
19.0
写入速度,GB/s
8.1
15.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3668
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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