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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
9.2
16.8
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3007
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
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