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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
62
左右 21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
10
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
62
读取速度,GB/s
10.0
16.1
写入速度,GB/s
8.2
6.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
1586
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
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