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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.8
18.2
写入速度,GB/s
7.3
14.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3496
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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