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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
11.8
19.0
写入速度,GB/s
7.3
17.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
4069
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
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