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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
68
左右 60% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
68
读取速度,GB/s
11.8
16.2
写入速度,GB/s
7.3
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1812
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
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