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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
46
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.1
9.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
46
读取速度,GB/s
10.6
12.0
写入速度,GB/s
9.0
9.1
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2400
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
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Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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