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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
26
读取速度,GB/s
4,178.4
14.4
写入速度,GB/s
2,201.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3078
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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