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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
1,865.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
74
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
74
65
读取速度,GB/s
4,178.4
4,423.4
写入速度,GB/s
2,201.1
1,865.3
内存带宽,mbps
6400
6400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
607
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
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