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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

总分
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 17.4
    测试中的平均数值
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 73
    左右 -232% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 1,423.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 5300
    左右 3.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    3,510.5 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    1,423.3 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    476 left arrow 3162

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