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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
比较
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
总分
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
73
左右 -35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,423.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
54
读取速度,GB/s
3,510.5
17.5
写入速度,GB/s
1,423.3
9.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
476
2264
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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