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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

总分
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

总分
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 需要考虑的原因
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 17
    测试中的平均数值
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB 需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    63 left arrow 73
    左右 -16% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 1,423.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    73 left arrow 63
  • 读取速度，GB/s
    3,510.5 left arrow 17.0
  • 写入速度，GB/s
    1,423.3 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    476 left arrow 2061

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kingston 9905744-067.A00G 32GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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