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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
3,325.1
17.2
写入速度,GB/s
1,441.2
14.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3592
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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