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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston HX424C15FB/8 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kingston HX424C15FB/8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX424C15FB/8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
3,325.1
15.9
写入速度,GB/s
1,441.2
9.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2684
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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