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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
37
读取速度,GB/s
3,325.1
15.6
写入速度,GB/s
1,441.2
12.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2314
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
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