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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
64
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
40
读取速度,GB/s
4,477.7
13.8
写入速度,GB/s
1,869.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2340
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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