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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
50
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
35
读取速度,GB/s
15.3
15.5
写入速度,GB/s
10.9
11.5
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
2923
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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