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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
50
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
40
读取速度,GB/s
15.3
16.0
写入速度,GB/s
10.9
14.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
2965
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
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