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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

总分
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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

总分
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Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 38
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13% 更高的带宽
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.2 left arrow 9.9
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 13.7
  • 写入速度，GB/s
    9.9 left arrow 10.2
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2389 left arrow 2394

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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内存RAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
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内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
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内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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内存RAM
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