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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
12.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
15.7
12.2
写入速度,GB/s
11.8
12.1
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
2869
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
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