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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
73
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
73
读取速度,GB/s
15.7
15.0
写入速度,GB/s
11.8
7.5
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
1838
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3L/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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