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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
比较
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
总分
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
总分
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
66
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
66
读取速度,GB/s
14.9
13.9
写入速度,GB/s
12.0
13.2
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
2429
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB RAM的比较
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A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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