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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
38
左右 -15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.2
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
33
读取速度,GB/s
15.5
16.2
写入速度,GB/s
12.0
11.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3048
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
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