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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
28
读取速度,GB/s
15.5
19.7
写入速度,GB/s
12.0
15.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3717
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
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