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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
15.5
17.5
写入速度,GB/s
12.0
15.0
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3529
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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