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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
11.9
14.1
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2569
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
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