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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
45
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
25
读取速度,GB/s
11.9
14.3
写入速度,GB/s
8.1
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2945
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
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