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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston XRGM6C-MIB 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
11.9
16.5
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3083
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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