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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
12.2
14.7
写入速度,GB/s
7.9
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2688
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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