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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
11.8
18.3
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3312
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
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