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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMR16GX4M2C 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
66
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
66
读取速度,GB/s
11.8
11.4
写入速度,GB/s
8.0
7.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1604
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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