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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

总分
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    39 left arrow 47
    左右 -21% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.3 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.4 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 39
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 13.3
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 9.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 2419

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM的比较

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
内存RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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AMD R948G2806U2S 8GB
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内存RAM
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Kingston 9905702-400.A00G 8GB
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Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
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