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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
5.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
12.0
5.7
写入速度,GB/s
7.2
3.0
内存带宽,mbps
12800
8500
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
609
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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