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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.0
11.3
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1793
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
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