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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
12.0
21.0
写入速度,GB/s
7.8
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
4006
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
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