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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 45
    左右 -114% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    21.4 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    17.6 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 21.4
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 17.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 3954

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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