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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
9.3
14.7
写入速度,GB/s
5.9
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3099
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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