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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
72
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
72
读取速度,GB/s
9.3
15.8
写入速度,GB/s
5.9
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
1951
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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