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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.8
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.7
5.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
9.3
9.8
写入速度,GB/s
5.9
6.7
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
1304
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB RAM的比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
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