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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
56
左右 27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
56
读取速度,GB/s
13.3
10.1
写入速度,GB/s
9.0
8.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2016
2307
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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