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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs AMD R334G1339U2S 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
AMD R334G1339U2S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
4.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R334G1339U2S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
40
左右 -38% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
29
读取速度,GB/s
12.3
9.0
写入速度,GB/s
8.9
4.8
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1726
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-032.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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